SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Produkbeskrywing
| Produkkenmerk | Eienskapwaarde |
| Vervaardiger: | Vishay |
| Produk Kategorie: | MOSFET |
| Tegnologie: | Si |
| Montagestyl: | SMD/SBS |
| Pakket/tas: | SOT-23-3 |
| Transistor polariteit: | P-kanaal |
| Aantal kanale: | 1 Kanaal |
| Vds - Dreineerbron-afbreekspanning: | 8 V |
| ID - Deurlopende dreineerstroom: | 5.8 A |
| Rds On - Dreineerbronweerstand: | 35 mOhm |
| Vgs - Hekbronspanning: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Hek-bron Drempelspanning: | 1 V |
| Qg - Heklading: | 12 nC |
| Minimum bedryfstemperatuur: | - 55 C |
| Maksimum bedryfstemperatuur: | + 150 C |
| Pd - Kragverspreiding: | 1,7 W |
| Kanaalmodus: | Verbetering |
| Handelsnaam: | TrenchFET |
| Verpakking: | Reel |
| Verpakking: | Sny Tape |
| Verpakking: | MuisReel |
| Handelsmerk: | Vishay Semiconductors |
| Opstelling: | Enkellopend |
| Herfs Tyd: | 10 ns |
| Hoogte: | 1,45 mm |
| Lengte: | 2,9 mm |
| Produk Tipe: | MOSFET |
| Stygtyd: | 20 ns |
| Reeks: | SI2 |
| Fabriekspakkethoeveelheid: | 3000 |
| Subkategorie: | MOSFET's |
| Transistor tipe: | 1 P-kanaal |
| Tipiese afskakelvertragingstyd: | 40 ns |
| Tipiese aanskakelvertragingstyd: | 20 ns |
| Breedte: | 1,6 mm |
| Deel # Aliases: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Eenheid gewig: | 0,000282 onse |
• Halogeenvry Volgens IEC 61249-2-21-definisie
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg Getoets
• Voldoen aan RoHS-richtlijn 2002/95/EG
• Laaiskakelaar vir draagbare toestelle
• DC/DC-omskakelaar
