SQM50034EL_GE3 MOSFET N-KANAAL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Produkbeskrywing
| Produkkenmerk | Eienskapwaarde |
| Vervaardiger: | Vishay |
| Produk Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Besonderhede |
| Tegnologie: | Si |
| Montagestyl: | SMD/SBS |
| Pakket/tas: | TO-263-3 |
| Transistor polariteit: | N-kanaal |
| Aantal kanale: | 1 Kanaal |
| Vds - Dreineerbron-afbreekspanning: | 60 V |
| ID - Deurlopende dreineerstroom: | 100 A |
| Rds On - Dreineerbronweerstand: | 3,2 mOhm |
| Vgs - Hekbronspanning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Hek-bron Drempelspanning: | 2 V |
| Qg - Heklading: | 60 nC |
| Minimum bedryfstemperatuur: | - 55 C |
| Maksimum bedryfstemperatuur: | + 175 C |
| Pd - Kragverspreiding: | 150 W |
| Kanaalmodus: | Verbetering |
| Handelsnaam: | TrenchFET |
| Handelsmerk: | Vishay / Siliconix |
| Opstelling: | Enkellopend |
| Herfs Tyd: | 7 ns |
| Produk Tipe: | MOSFET |
| Stygtyd: | 7 ns |
| Reeks: | SQ |
| Fabriekspakkethoeveelheid: | 800 |
| Subkategorie: | MOSFET's |
| Tipiese afskakelvertragingstyd: | 33 ns |
| Tipiese aanskakelvertragingstyd: | 15 ns |
| Eenheid gewig: | 0,139332 onse |
• TrenchFET® krag MOSFET
• Pakket met lae termiese weerstand
• 100 % Rg en UIS getoets
• AEC-Q101 gekwalifiseer
